Etter en rekke utsettelser av nye halvlederprodukter, ble det reist tvil om Intels evne til å holde tidsplanen for overgangen til 65 nanometers produksjonsprosess. Selskapet har nylig gjennomført en overgang fra 130 nanometers til 90 nanometers produksjonsprosess. Problemene i våres var så store at toppsjef Craig Barrett sendte ut en e-post til alle medarbeidere der han slo fast at det var «ingen tvil om vårt behov for å bedre arbeidet vårt.»
Evnen til å pakke transistorer stadig tettere sammen er avgjørende for at minnebrikker, mikroprosessorer og andre komponenter leverer stadig større ytelse. Om Intel ikke holdt tidsplanen for overgangen til 65 nanometers prosess ville selskapets markedsutsikter være sterkt forringet.
I dag melder CBS MarketWatch at Intel har demonstrert en fullt fungerende statisk minnebrikke (SRAM) på 70 megabiter. Brikken inneholder over 500 millioner transistorer, og er bygget ved en 65 nanometers prosess.
Demonstrasjonen skal ha overbevist analytikerne om at Intel faktisk er i rute, og at problemene i selskapet ikke vil forstyrre den planlagte overgangen til volumproduksjon med 65 nanometers prosess som skal starte seint neste år, først ved anleggene i Oregon, deretter ved anleggene i Arizona og Irland.
Analytikerne mener at overgangen fra 90 nanometers til 65 nanometers produksjon vil være mindre problematisk for Intel en den forrige overgangen, fra 130 til 90 nanometer.
Intel varsler at de første produksjonserfaringene i 65 nanometer vil føre til en del justeringer. Man vil forbedre teknikken med silt silisium som kan valgfritt brukes til å øke ytelsen eller til å verne mot strømlekkasjer. Man vil også legge inn transistorer som kan brukes til å kutte strømmen til bestemte områder i en brikke.
Intel har tidligere prøvd ut en teknologi som IBM benytter i sine nye brikker, kalt «silicon on insulator» der man legger inn tynne isolerende lag for å redusere strømlekkasjer. Selskapet sier de ikke vil satse videre på denne teknologien, men heller oppnå tilsvarende strømsparing ved å legge inn en ny type transistorer, kalt treports transistorer («tri-gate»).
Neste overgang i produksjonsprosess, fra 65 nanometer til 45 nanometer, ventes en gang i 2007. Den oppfattes som mer utfordringen enn overgang til 90 nanometer til 65, blant annet fordi det forventes at man vil måtte bruke nye materialer internt i brikkene.
