Halvlederframskritt for IBM og AMD

Ny teknologi vil la IBM og AMD produsere 24 prosent raskere brikker uten å øke energiforbruket.

Del

13. des. 2004 - 15:18

Å holde tritt med Moores lov som krever at ytelsen i halvlederkomponenter dobles hvert halvannet år, krever at man løser det stadig mer akutte problemet med strømlekkasjer inne i brikkene. Dette er et sentralt tema på bransjesamlingen International Electron Devices Meeting i San Francisco denne uka.

To løsninger har vært prøvd de siste årene: «Strukket silisium» («strained silicon») som øker avstanden mellom silisium-atomene for å gi elektronene større bevegelsesfrihet, og «silisium på isolator» («silicon on insulator») der silisiumlagene skilles med spesielle isolerende lag.

Ifølge AMD har et samarbeid der også IBM, Sony og Toshiba deltar, utviklet en metode som kombinerer disse løsningene: «Dual stress liner» (DSL). Ifølge AMD vil brikker produsert med denne løsningen kunne øke ytelsen med opptil 24 prosent over tilsvarende brikker med samme strømforbruk.

AMD og IBM sier de vil bruke teknologien til å produsere prosessorer for PC-er og servere etter en 90 nanometers prosess, spesielt flerkjernede prosessorer, allerede i første halvår 2005.

IBM sier at dersom man vil bruke teknologien til å redusere strømforbruker og ikke til å øke ytelsen, vil man kunne oppnå strømbesparelser på opptil 90 prosent.

Intel ser ikke ut til å ha kommet like langt som AMD og IBM på dette feltet. Ifølge rapporter fra konferansen, sier Intel at de ser på strukket silisium – ikke silisium på isolator – i forbindelse med overgang til 65 nanometers produksjonsprosess, og venter en ytelsesøkning på 10 til 15 prosent for samme strømforbruk.

Et annet viktig diskusjonstema har med produksjonskostnader å gjøre. En representant for TI sier til Wall Street Journal at før kunne man regne med at en ytelsesdobling økte produksjonskostnadene med 10 prosent. I dag må man regne med at en ytelsesdobling øker produksjonsutgiftene med 30 til 40 prosent.

Les også: