Viste superrask flash-etterfølger

Samsung har demonstrert en ny type flash-minne som er langt bedre til å kjøre programvare.

Del

12. sep. 2006 - 10:48

Samsung har lenge hatt under utvikling en ny type flash-minne etter en teknologi kjent som PRAM eller «phase-change RAM». I går viste det fram en prototyp på 512 megabits på en pressekonferanse i Seoul (se bildet nedenfor).

PRAM har en rekke fordeler framfor spesielt NOR-minnet som brukes til å lagre programvare i PDA-er og avanserte mobiltelefoner. Den andre typen flash-minne, NAND, er mer egnet til å lagre filer, og brukes følgelig i MP3-spillere.

Flash-minne er en felles betegnelse på minne som ikke trenger elektrisk spenning for å bevare data.

PRAMs viktigste fordel framfor både NOR og NAND, ifølge Samsung, er at ny data kan skrives uten at man først må bruke en egen operasjon for å slette det gamle. Bare dette bidrar til at PRAM-flash er minst 30 ganger så rask som NOR-flash.

Det er også andre fordeler, ifølge Samsung. PRAM er mer slitesterkt, og kan ventes å fungere opptil ti ganger så lenge som NOR. Minnecellene er halvparten så store enn i NOR, og produksjonsprosessen teller 20 prosent færre trinn. Det vil gjøre det rimeligere å produsere PRAM enn NOR.

Med andre ord: PRAM vil bidra til en avgjørende ytelsesøkning i avanserte mobiltelefoner og PDA-er, samtidig som de blir rimeligere og mer holdbare.

Samsung tror de første PRAM-produktene kan komme på markedet tidlig i 2008. I første omgang vil det bli snakk om programminne for mobile enheter, med brikker på 512 Mb. NAND-flash vil leve videre til godt utover 2010, med ørsmå minnekort på fra 64 GB og oppover. Slik kort vil ikke bare brukes i mobile enheter. Intels nye PC-platform Robson krever flash-minne for å lagre hele eller deler av operativsystemet, for å bedre ytelsen.

Les også: