Nanorør av karbon er blant de mest lovende teknologiene for å framstille både ledere og halvledere som er 500 ganger mindre enn de minste komponentene man får til i silisium.
Veggene i rørene består av ett lag atomer, og rørene har en typisk diameter på ti atomer. Greier man å påtvinge rørene en ordnet struktur av transistorer og ledninger, ser man for seg elektroniske brikker som er betydelig mindre enn dem man har i dag.
Denne drømmen antas å være minst ti år fram i tid.
Les også:
Problemet med metall har vært at det etterlater seg forurensning som gjør rørene til små magneter. For å fjerne metallet må rørene kokes i salpetersyre. Det skader dem.
Ved IBMs silisiummetode, framstilles et materiale der silisium og karbon ligger lagvis. Materialet varmes opp til 1650 grader Celsius. Da fordamper silisiumet, mens karbonet krøller seg sammen i små rør.
Denne metoden framstiller rør som er halvledere. For å organisere halvlederne slik at de fungerer som transistorer, må man sørge for en bestemt struktur i materialet som rørene blir liggende på. Dette er neste skritt for forskerne.
