Samsung kunngjorde i dag at selskapet har greid å lage verdens første DDR3 DRAM-brikke med en kapasitet på 4 gigabits. Dette er oppnådd ved hjelp av 50 nanometers prosessteknologi. Brikkene kan settes sammen til minnemoduler som brukes i vanlige datamaskiner. De nye brikkene skal også føre til lavere energiforbruk.
DDR3-brikkene med 4 gigabits kapasitet kan produserer moduler av typen RDIMM (Registered Dual In-line Memory Module) for servere med kapasitet på 16 gigabytes, eventuelt som 8 gigabytes moduler av typene UDIMM (Unbuffered Dual In-line Memory Module) eller SODIMM (Small Outline DIMM) for henholdsvis stasjonære og bærbare PC-er.
I tillegg kan man ved å benytte en «dual-die» pakketeknologi lage moduler med kapasitet på opptil 32 gigabytes. Dette er det dobbelte av det som er mulig med dagens 2 gigabit-brikker.
De nye brikkene skal kunne levere opptil 1,6 gigabits med data per sekund. De har en driftsspenning på 1,35 volt, noe som kombinert med høyere tetthet og et halvvert antall brikker per modul, skal redusere effektforbruket med 40 prosent sammenlignet med dagens DDR-moduler med samme kapasitet.
Samsung viser til tall fra analyseselskapet IDC som spår at DDR3 DRAM-markedet vil utgjøre 29 prosent av det totale DRAM-markedet i 2009 og 75 prosent i 2011. IDC mener dessuten at tre prosent av minnemodulene i 2009 vil være basert på 2 gigabitsbrikker eller høyere, mens tallet for 2011 er 33 prosent.
