IBM forteller at de har framstilt en prototyp av en minnebrikke av typen eDRAM (embedded dynamic random access memory) med verdens hittil minste minneceller.
Prototypen er realisert i 32 nanometer med IBMs teknologi «silicon on insulator» som hindrer strømlekkasjer og som gjør det mulig å utnytte energi langt mer effektivt i elektroniske kretser. Sammenliknet med minnebrikker som produseres i dag, yter prototypen opptil 30 prosent mer, samtidig som den nøyer seg med 40 prosent mindre strøm.
Ifølge IBM tilbyr eDRAM-brikken i 32 nanometer større tetthet, større hastighet og større kapasitet enn det som er mulig å realisere med SRAM (static random memory access) i 22 nanometer. For å lage noe liknende i SRAM, må man ned i 15 nanometer, en teknologi som er tre generasjoner unna det som produseres i dag.
eDRAM-cellen til IBM har dobbelt så stor tetthet som verdens hittil tetteste 22 nanometer-celle, som IBM kunngjorde i august i fjor. Tettheten er fire ganger den til 32 nanometers SRAM-celler. Tettheten er essensiell for egenskaper som fysisk størrelse, strømeffektivitet og evne til å prosessere data.
IBMs nye brikke skal ha en forsinkelse og en syklustid i underkant av 2 nanosekunder. Når den står stille, det vil si venter på å bli lest fra eller skrevet til, krever en 75 prosent mindre strøm enn en tilsvarende SRAM-brikke. Forekomsten av feilen grunnet elektriske ladninger er redusert med 99,9 prosent.
Integrert minne er nøkkelen til høy ytelse i mange typer elektroniske komponenter, blant annet flerkjernede prosessorer. Den nye typen eDRAM kan vi bedre ytelse og spare strøm i servere, skrivere, lagringssystemer og nettverk. Innen forbrukerelektronikk, spill og mobilt utstyr, kan den gi redusert fysisk størrelse, lavere kostnader og lavere strømforbruk.
32 nanometers varianten av «silicon on insulator» (SOI) er sjuende generasjon av denne typen teknologi hos IBM, som anvendes bredt til mange typer komponenter, blant annet mikroprosessorer. Halvlederleverandøren ARM er blant dem som har tilgang til denne teknologien gjennom IBM. Begge er medlemmer av bransjeorganisasjonen SOI Industry Consortium.
Løsninger for 32 og 22 nanometers eDRAM skal presenteres på et internasjonalt møte i desember, International Electron Devices Meeting, opplyser IBM.
Les også:
- [16.10.2009] IBM-tallene overrasker positivt
- [17.04.2009] IBM-allianse lover svært små databrikker
- [10.12.2008] Intel nådde milepæl for raskere prosessorer
