IBM skal senere i dag kunngjøre at selskapet har greid å forbedre selskapets egen hastighetsrekord med grafen-baserte transistorer med nesten 300 prosent.
Ifølge amerikansk teknologipresse, blant annet EE Times, har selskapet vist fram en RF-transistor i karbonmateriale grafen som opererte med en hastighet på 100 GHz. Den forrige rekorden var på 26 GHz og ble satt i slutten av 2008.
Grafen-transistorer har vist seg å kunne klokkes langt raskere enn silisium-transistorene som brukes i dagens databrikker. Det skal bare være de raskeste GaAs-transistorene som nå er raskere.
Transistoren som ble demonstrert er laget ut av en 2-tommers grafen-wafer og opererte ved romtemperatur.
Ifølge EE Times var portlengden på grafen-transistoren 240 nanometer, noe som er langt mer enn 32 nanometer-teknologien som blant annet brukes i de nyeste prosessorene fra Intel.
IBM sikter mot å redusere portlengden og forbedre mobiliteten til materialet, slik at transistorene etter hvert skal kunne nå 1 terahertz, noe som er målet for CERA-programmet (Carbon Electronics for RF Applications), som står bak transistoren.
Grafen er et relativt nytt materiale som første gang ble fremstilt i isolert form i 2004. Det har mange interessante egenskaper, men har vist seg å være vanskelig å fremstille i tilstrekkelig store flak.
Men i slutten av januar kunngjorde Pennsylvania State University (Penn State) at forskere ved dets Electro-Optics Center (EOC) har greid å lage grafen-wafere med diameter på 10 cm. Dette er gjort ved prosessere silisiumkarbid-wafere ved høy temperatur i et brennkammer, inntil silisiumen har migrert vekk fra overflaten. Da har en grafen-film med én to to atomers tykkelse blitt liggende igjen på overflaten.
Størrelsen på waferen er begrenset til 10 cm fordi dette er den største diameteren silisumkarbid-wafere er kommersielt tilgjengelig med.
Også ved Penn State skal forskerne starte med ytelsestesting av transistorer i nær framtid. Senere skal det jobbes med å forbedre elektronhastigheten i grafenen som er laget på denne måten, slik at den kommer nærmere den teoretiske hastigheten som er på 1/300 av lyshastigheten. Dette er ifølge Penn State omtrent hundre ganger raskere enn elektronhastigheten i silisium.
Les også:
- [08.03.2012] Starter grafenproduksjon i Sverige
- [25.01.2011] – Dagens grafen kan ikke brukes i CPU-er
- [19.10.2010] Grafen kan gi lynraske spinndatamaskiner
- [06.09.2010] Ny fartsrekord med transistor av karbon
- [18.01.2010] Gjennombrudd for supermateriale
- [27.03.2009] Supermateriale gjør det igjen
- [06.01.2009] Fartsrekord for karbon-baserte transistorer
