Forskere ved Purdue Universitys Birck Nanotechnology Center er i ferd med å utvikle en ny type ikke-flyktig minne for datamaskiner som de tror at både vil være raskere enn eksisterende, kommersiell minne, og som samtidig bruker langt minne energi enn flashminne.
Teknologien kalles for FeTRAM (Ferroelectric Transistor Random Access Memory) og kombinerer nanotråder av silisium med en organisk ferroelektrisk polymer (PVDF-TrFE). Det sistnevnte er et materiale som skifter polaritet når det utsettes for elektriske felt. Dette brukes til å lage en ferroelektrisk transistor.
Endringene i polariteten kan lese som 0 eller 1, noe som gjør det mulig å lagre binærkodet informasjon.
– Det er hele er på et veldig tidlig stadium, understreker Saptarshi Das, en doktorgradstudent som deltar i prosjektet, i en pressemelding.
– Vi har utviklet teorien og gjort eksperimenter, samt vist hvordan det fungerer i en krets, sier Das. Oppdagelsene har blitt beskrevet i en artikkel i denne månedens Nano Letters, som utgis av American Chemical Society.
Ifølge Purdue University har FeTRAM-enhetene et potensial til å bruke 99 prosent mindre energi enn flashminne.
– Men vår nåværende enhet bruker mer effekt fordi den fortsatt ikke er skikkelig skalert. For framtidige generasjoner av FeTRAM-teknologiene vil ett av hovedmålene være å redusere strømtapet. Teknologien kan også være mye raskere enn en annen form for datamaskinminne, kalt SRAM, hevder Das.
Det er flere krav til ikke-flyktig minne som FeTRAM skal kunne oppfylle.
– Du ønsker å bevare minnet så lenge som mulig, 10 til 20 år, og du bør være i stand til å lese og skrive så mange ganger som mulig. Det bør også være lav-effekt for å hindre at den bærbare pc-en din blir for varm. Og det trenger å skalere, det vil si at du kan pakke mange enheter sammen på et veldig lite areal, sier Das.
En annen fordel med den nye teknologien er at den er kompatibel med CMOS-produksjonsprosessene som i dag brukes til å lage databrikker.
FeTRAM-teknologien skal forøvrig ha mye felles med dagens FeRAM-teknolog, som ble utviklet på 1980-tallet og som brukes kommersielt, i liten skala. Den viktigste forskjellen er at FeTRAM-enheter kan leses uten at informasjonen de inneholder går tapt. Det er den ferroelektriske transistoren som gjør dette mulig. Den erstatter kondensatoren som FeRAM bruker til å lagre informasjon.
FeTRAM er på ingen måte den eneste ikke-flyktige minneteknologien som har potensial til å erstatte flashminne. Dette inkludert faseskiftminne (PCM/PRAM), Programmable Metallization Cell memory (PMCm), Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) og Nanotube-based nonvolatile RAM (NRAM). Flere typer er omtalt her. Men ingen av alternativene er foreløpig modne nok til å erstatte flashminne.
Les også:
- [25.07.2014] Stort framskritt for ny lagringsteknologi
- [26.11.2013] – Nå skal DRAM erstattes
- [06.08.2013] Crossbar vil erstatte flashminne med RRAM
- [13.12.2012] Nokia har tatt i bruk flashminne-utfordrer
- [11.10.2011] Vil erstatte flashminne innen 18 måneder
- [30.06.2011] IBM viste fram lynrask minneteknologi
- [18.05.2011] Kjøper spissteknologi til Russland
- [07.02.2008] Nytt gjennombrudd for flashminne-utfordrer
- [01.11.2007] Gjennombrudd for superbillig nano-minne
- [08.03.2007] Attraktivt flashminne-alternativ kommer i år
- [11.12.2006] Ny teknologi kan erstatte flashminne
- [13.05.2003] Utfordrer Opticom med nanorør-minne
