I september i år ble det meldt at Intel og Micron har samarbeidet om å utvikle en lynrask minnekube, døpt «Hybrid Memory Cube» eller HMC.
Prinsippet for dette er at man stabler flere lag med DRAM oppå hverandre, og legger inn et eget logikklag slik at kuben framstår som en vanlig DRAM-brikke for minnekontrolleren.
Nå melder IBM at de har inngått en avtale om den første kommersielle produksjonen av HMC.
Dette er samtidig det første tilfellet av kommersiell produksjon av tredimensjonale brikker, det vil si med stablede kretser.
I pressemeldingen forklares det at logikken i kuben ordnes gjennom en teknologi kalt TSV – «through silicon vias» – som IBM har funnet en banebrytende måte å produsere. En TSV beskrives som loddrette strømledere som sørger for logikken som gjør det mulig for de stablede DRAM-kretsene å oppfattes som én DRAM-brikke. TSV-ene formidler signaler til DRAM-kretsene fra et underliggende logikklag.
Selve DRAM-kretsene er svært raske, og det er følgelig nødvendig at logikken i TSV-ene følger med i samme tempo. I pressemeldingen fra IBM og Micron vises det til en båndbredde på 128 gigabyte per sekund. (Meldingen fra Micron og Intel i september beskrev en båndbredde på 1 terabit per sekund, hvilket går ut på det samme.) Det skal være ti ganger så raskt som de raskeste minnekretsene tilgjengelig i dag.
I tillegg til rå ytelse, framheves ytterligere to fordeler: Fysisk sett tar HMC en tidel av plassen som vanlig minne krever, og strømbehovet er redusert med 70 prosent.
Produksjonen skal skje i IBMs halvlederanlegg i East Fishkill i delstaten New York, etter en 32 nanometers prosess.
HMC-brikker vil i første omgang anvendes i avansert nettverksutstyr og i tungregnesentraler. Så tenker man seg anvendelser innen industri, og så, på noe sikt, i forbrukerelektronikk.
Les også:
- [20.09.2011] Intel og Micron med lynrask minnekube
- [08.09.2011] IBM vil stable databrikkene i tårn
