Det finnes en hel rekke teknologier som potensielt kan utfordre dagens flash-baserte minne- og lagringsteknologi. Faseskiftminne (PCM – Phase-change memory) kanskje den mest modne av disse. For denne uken kunngjorde Micron Technology, som skal ha vært først i verden med å masseprodusere faseskiftminne for mobiltelefoner, at Nokia allerede har tatt i bruk teknologien i enkelte mobiltelefoner.
Noe overraskende dreier det seg ikke om de mest avanserte smartmobilene, men i stedet i enkelte noe enklere modeller. Opplysningene bekreftes av Nokia.
– Nokia har alltid funnet måter for å tilby innovative mobilenheter til sine kunder over hele verden, og Microns PCM for mobil gjør det mulig for oss i forbedre ytelsen til Asha-smartmobiler, sier Dirk Didascalou, senior visepresident for mobiltelefoner hos Nokia, i en pressemelding.
– Micron er tiltrodd leverandør og deres nye teknologi bidrar til en sterk brukeropplevelse med en rekke funksjons- og ytelsesforbedringer, sier Didascalou.
Ifølge Microsoft skal faseskiftminne bidra til kortere oppstartstid for enhetene, enklere programvareutvikling, økt ytelse fordi cellene ikke må slettes før overskriving, samt lav effektforbrukt og bedre pålitelighet og levetid enn flashminne. Videoen nedenfor demonstrerer ytelsesøkningen.
Micron lanserte de første faseskiftminnebrikkene for mobiltelefoner i sommer. Dette er baserte MPC-er (Multichip Packege) som kombinerer 1 gigabit faseskiftminne med 512 megabit LPDDR2-minne. Dette er mulig fordi de to teknologiene kan dele et grensesnitt som skal være fullt kompatibelt med JEDECs industristandarder.
De første eksemplene på faseskiftminne som lagringsteknologi ble utviklet allerede på 1960-tallet, men har i liten grad blitt utnyttet kommersielt. I løpet av forrige tiår begynte interessen å ta seg opp blant mange av de store brikkeselskapene. Men det er først nå at faseskiftminne er tatt i bruk i forbrukerprodukter.
Faseskiftminne lagrer data ved at chalkogenid glass, som består av grunnstoffer fra gruppe 16 i periodesystemet (chalkogener), hvor blant annet oksygen hører hjemme. Chalkogenid glass har den spesielle egenskapen at kan endres fram og tilbake mellom minst to ulike strukturer, krystallinsk og amorf, når visse temperaturterskler nås. endres fasen til materialet fra den ene til den andre fasen, eller omvendt. Den elektriske motstanden er lav i den krystallinske fasen, mens den er høy i den amorfe. Dette kan brukes til å lagre bits med data.
På sikt kan det også være mulig å lagre mer enn én bit per celle med minneskiftminne, ved at man greier å oppnå mer enn to stabile og forholdsvis atskilte motstandsnivåer.
Les også:
- [28.09.2011] Ny teknologi kan utfordre flashminne
- [30.06.2011] IBM viste fram lynrask minneteknologi
- [29.10.2009] Nytt gjennombrudd for nestegenerasjon minne
- [29.01.2008] Lover billigere lagring med flashkonkurrent
- [11.12.2006] Ny teknologi kan erstatte flashminne
