Ifølge The Korea Times skal Samsung denne uken ha oppgitt at selskapet har funnet en metode for å produsere en ny type minnebrikker som kalles Phase Change Random Access Memory (P-RAM).
Les også:
- [04.06.2003] Knøttliten harddisk danker flashkort på pris
- [01.04.2003] AMD og Fujitsu utvider fellesselskap for flashminne
Denne minnetypen skal prosessere data tusen ganger raskere enn eksisterende minnebrikker. Brikkene skal kunne lagre data i minst 20 år, selv ved temperaturer på 70 grader Celsius, og brukes opptil 2 milliarder ganger.
Én bit med data lagres i brikkene når avbildninger i minnet endres fra en amorf tilstand til en krystallinsk struktur. Metoden er basert på vanlig CMOS-teknologi (Complementary Metal Oxide Semiconductor), som skal være enkle å produsere og å ta i bruk.
Det er ventet at brikkene med den nye teknologien vil erstatte NOR-baserte flashminnebrikker som i dag brukes i blant annet mobiltelefoner, så snart de nye brikkene kommer på markedet. Men det er ikke oppgitt når dette vil skje.
