IBM har utviklet en ny metode å lage integrerte kretser på. De nye CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) og silisium-germanium bipolare brikkene skal bare bruke en femdel som mye strøm som dagens teknologi, skriver News.com.
Les også:
- [04.11.2004] Epson lager kretskort med blekk
- [19.09.2003] AMD prøver ut treportstransistor
- [11.06.2003] Intel med fremskritt på futuristisk transistor
Brikkene kombinerer ifølge IBM både prosessorings- og kommunikasjonsfunksjonalitet i én eneste tynn SOI-skive (Silicon On Insulator). Brikkene vil bli laget med en portavstand på enten 65 eller 45 nanometer. Slik produksjonsteknologi er ennå ikke tilgjengelig. Det ventes derfor å ta bortimot fem år innen den nye brikkedesignen vil tas i bruk i virkelige produkter.
IBM ser spesielt for seg at brikkene vil kunne brukes til å gi streaming video i mobiltelefoner forbedret ytelse.
