Kappløpet om å lage stadig mindre transistorer i integrerte kretser går for fullt. Mandag annonserte Intel at selskapet har bygget fungerende SRAM-brikker (Static Random Access Memory) basert på 65 nanometers prosessteknologi. Dette er den neste generasjonen av Intels høyvolums produksjonsprosess for halvlederbrikker. Selskapet regner med å komme i gang med produksjon basert på denne prosessteknologien i løpet av 2005. Det vil da benyttes silisiumskiver med en diameter på 300 mm.
Les også:
- [07.12.2004] IBM gjør viktig minnegjennombrudd
- [04.11.2004] Epson lager kretskort med blekk
- [21.11.2003] Intel vil nå 4 GHz i 2004
- [07.11.2003] AMDs prosessorplaner ut 2005
- [05.11.2003] Intel med mulig gjennombrudd i brikkedesign
- [19.09.2003] AMD prøver ut treportstransistor
- [10.09.2003] To nyvinninger forlenger IBMs forsprang
- Intel benytter SRAM-brikker for å teste prosessteknologien fordi slike brikker er enkle å designe og å feilsøke, men transistorene vil brukes i nye versjoner av produkter som Pentium 4 eller Xeon, sier Mark Bohr, Intels direktør for selskapets prosessarkitektur og integrasjon, til InfoWorld.
Intel skriver i en pressemelding at ved å benytte den nye prosessteknologien, kan selskapet doble antallet transistorer per brikke i forhold til hva som er mulig i dag.
- Med 65 nm-teknologien forlenger vi vår rekord med å produsere med en ny prosessgenerasjon hvert annet år. Faktisk er det bare 20 måneder siden vi oppnådde fullt fungerende SRAM-brikker basert på vår 90 nm-prosess, hvor produksjonen nå startes opp, sier Sunlin Chou, senior visepresident og daglig leder for Intels Technology and Manufacturing Group, i pressemeldingen.
Du finner flere detaljer om Intels nye prosessteknologi på denne siden.
