– Dagens grafen kan ikke brukes i CPU-er

IBM-forsker avviser at karbonmaterialet vil erstatte silisium med det første.

Grafen består av svært tynne lag med karbonatomer ordnet i et bikakelignende mønster. Bilde: Chris Ewels

Del

25. jan. 2011 - 15:31

Oppdagelsen av det karbonbasert materialet grafen ble i fjor belønnet med Nobelprisen i fysikk, og materialet har vist seg å ha mange svært fordelaktige egenskaper. Blant annet har det blitt antydet at grafen har egenskaper som gjør at det kan erstatte bruken av silisium som substrat ved produksjon av prosessorer.

Forskeren Yu-Ming Lin ved IBM Research heller nå kaldt vann i årene på dem som hadde håp om å kunne kjøpe lynraske grafenbaserte prosessorer i nær framtid.

I et intervju publisert i en kommende papirutgave av magasinet Custom PC, som delvis er gjengitt av bit-tech.net, sier Lin at en grafentransistor ikke kan skrus helt av.

– Grafen, slik det er nå, vil ikke erstatte rollen til silisium i datamaskiner, sier Lin.

IBM har demonstrert transistorer med en cut-off-frekvens på 300 GHz.

Grafen består av svært tynne lag med karbonatomer ordnet i et bikakelignende mønster. <i>Bilde: Chris Ewels</i>

Grafen består av svært tynne lag med karbonatomer ordnet i et bikakelignende mønster. Bilde: Chris Ewels

– Det er en viktig forskjell på grafentransistorene vi har demonstrert og transistorer som brukes i CPU-er. I motsetning til silisium, har ikke grafen noe båndgap og kan derfor ikke bli skrudd av, noe som resulterer i et lite på/av-forhold, forteller Lin.

Det finnes likevel områder som ikke er avhengige av et stort på/av-forhold, for eksempel RF-kretser.

– I prinsippet ingen grense for hvor liten en grafentransistor kan være. Sammenlignet med silisium er grafen mer robust med tanke på enhetsskalering, fordi tykkelsen tilsvarer et enkelt lag med atomer. Derimot er det kjent at kvaliteten til silisium vil reduserer betraktelig så snart det tynnes ned, sier Lin.

Han forteller at grafentransistorer kan oppnå høyere klokkehastighet enn silisiumtransistorer med samme portlengde fordi elektronene kan bevege seg mye raskere gjennom grafen enn gjennom silisium.

Les også:

Artikkelen fortsetter etter annonsen

annonsørinnhold