I kappløpet om å kunne levere stadig raskere prosessorer også i framtidig, har AMD arbeidet med ulike typer teknologier for å forsøke å gjøre dette mulig. Nå har selskapet laget en eksperimentell transistor som selskapet har stor tro på. Pussig nok minner den mye om en transistortype Intel presenterte tidligere i år.
Les også:
- [08.12.2003] NEC med gjennombrudd i transistordesign
- [25.11.2003] Intel demonstrerte rekordsmå minnebrikker
- [05.11.2003] Intel med mulig gjennombrudd i brikkedesign
- [30.09.2003] Firedobbelt ytelse i ny type brikke
- [11.06.2003] Intel med fremskritt på futuristisk transistor
Den nye transistoren er utstyrt med tre porter og er basert på avanserte metalport- og SOI-løsninger (silicon-on-insulator). Designet skal ifølge AMD levere opptil 50 prosent bedre ytelse enn andre offentliggjorte transistorer med flere porter. AMD håper på å kunne sette transistoren i volumproduksjon allerede 2007.
- Det er denne typen forskning som gjør det mulig for oss å levere løsninger med høy ytelse til våre kunder med etter en aggressiv timeplan, sier Craig Sander, visepresident for utviklingen av prosessteknologi hos AMD, i en pressemelding.
- Implementeringen av denne multiporttransistoren er i stor grad kompatibel med eksisterende produksjonsteknologi, noe som forbedrer våre muligheter til å sette denne teknologien ut i volumproduksjon, forteller Sander.
Den nye transistoren inneholder blant annet et lag med et fullstendig utarmet SOI-lag, noe som skal eliminere de løse, elektriske ladningene helt. Slike ladninger fører til bortkastet strømforbruk.
I tillegg inneholder transistoren porter laget av en nikkel-silisiumforbindelse i stedet for rene silisiumporter. Ifølge Sander leder metallporter elektrisitet bedre en silisiumporter.
Du finner mer informasjon om denne transistorteknologien i dette dokumentet.
