Bruken av ikke-flyktig minne, det vil si minnebrikker som beholder datainformasjonen selv når strømmen skrus av, vokser stadig. Brikkene benyttes i både separate minnekort og integrert i enheter som mobiltelefoner og MP3-spillere.
Flashminne lider av noen ulemper. Selv om levetiden er blitt kraftig forbedret i de nyeste generasjonene, er slike brikker lite egnet for å lagre data som stadig overskrives. Minnet støtter bare et begrenset antall overskrivninger. Dessuten er den vedvarende lese- og skrivehastigheten relativt liten, sammenlignet med for eksempel vanlige harddisker.
Intel fortalte denne uken amerikansk presse at selskapet nå vil tilby kunder testeksemplarer av 128 megabits minnebrikker basert på faseskift-teknologien. Ifølge EE Times vil dette skje i løpet av dette halvåret, mens masseproduksjonen skal kunne startes opp innen utgangen av året.
I første omgang skal brikkene direkte kunne erstatte NOR-basert flashminne, som ofte benyttes i mobiltelefoner. Men faseskiftminnet skal ha egenskaper som gjør at det også vil kunne erstatte DRAM i enkelte systemer.
Les også:
- [28.09.2011] Ny teknologi kan utfordre flashminne
- [07.02.2008] Nytt gjennombrudd for flashminne-utfordrer
- [03.05.2007] Flashminne i de fleste bærbare innen to år
- [16.03.2007] Prisene på flashminne stuper videre nedover
- [14.12.2006] Flere satser på mulig flashminne-erstatter
- [12.09.2006] Viste superrask flash-etterfølger
Til Ars Technica sier Greg Komoto, Intels produktsjef for faseskiftminne, at PRAM, som minnet også kalles, har en forsinkelse ved vilkårlig leseaksess som kan sammenlignes med DRAM. Noen nøyaktige tall vil han derimot ikke tilby.
Teknisk sjef i Intels Flash Memory Group, Ed Doller, fortalte under pressemøtet at Intels PRAM-brikkene som nå er blitt laget, har i tester tålt minst 100 millioner lese-/skrivesykluser og skal kunne ta vare på data i langt mer en 10 år.
Faseskift-teknologien har Intel siden 2000 lisensiert fra selskapet Ovonyx, som eies av Energy Conversion Devices. Sistnevnte skal ifølge EE Times ha tilbudt teknologien i mer enn 30 år, uten å oppnå kommersiell suksess. Teknologien er i ettertid blitt videreutviklet av Intel, i samarbeid med STMicroelectronics.
Også andre leverandører forsker på faseskiftminne, blant annet IBM, Hitachi og Samsung.
