digi.no skrev tidligere i dag at en ny transistor som ble annonsert av Bell Labs i forrige uke, var verdens minste.
Les hele saken:
Dette var nok også sant en ukes tid, men allerede i går annonserte University of California i Berkeley at det er blitt utviklet en enda mindre transistor.
Den nye transistoren som er utviklet ved universitetet, har fått navnet FinFET. Mens portlengden til Bell Labs' vertikale transistor er 50 nanometer, har forskningsgruppen ved Berkeley greid å lage en transistor med portlengde på ikke mer enn 18 nanometer. Ifølge universitetet er dette en ti-del av det som er vanlig å bruke i dag.
Gjennombruddet skyldes en endring i designen til transistorens "port" eller bryter. Denne kontrollerer flyten av strøm i transistoren. Normalt er denne porten en flat leder som kun kontrollerer den ene siden av kanalen strømmer flyter igjennom. Denne designen er ifølge Universitet i Berkeley begrenset fordi den ikke kan skru av strømmen hvis porten blir særlig mindre enn det som brukes til vanlig i dag.
FinFET-designet bruker en todelt port som stikker ut til begge sider for strømkanalen. Dette forbedrer kontrollen og reduserer lekkasjestrømmen slik at porten - og dermed transistoren - kan gjøres mindre.
- Vi kan nå kontrollere kanalen fra begge sider, sier Chenming Hu i en pressemelding. Hu er professor i elektrisk teknikk og informatikk ved Berkeley-universitetet og er deltaker i forskningsgruppen bak den nye transistoren.
- En analogi er å tenke på kanalen som en blodåre. Hvis du vil stoppe blødningen, må du klemme på venen fra begge sider. Dette vil være mye bedre enn å bare klemme på den på én side.
Selv om størrelsen på portene kun tilsvarer omtrent bredden til 100 atomer, noe som kun er synlig i et elektronmikroskop, håper Hu at denne størrelsen kan halveres gjennom gruppens videre arbeid, men pressemeldingen fra Berkeley sier ingenting om hvordan forskerne har omgått problemene med isolasjon og lysets store bølgelengde som tas opp i artikkelen om Bell Labs' vertikale transistor.
Forskningsgruppen har ingen planer om å søke om patent for den nye transistoren.
- Vi vil at den skal brukes av flest mulig og håper at den vil bli en ledende transistorstruktur i framtiden, sier Hu.
