Det amerikanske selskapet Crossbar kunngjorde i går at selskapet har utviklet en fungerende minnematrise basert på selskapets nye Crossbar Resistive RAM-teknologi (RRAM). Teknologien skal gjøre det mulig å lagre opptil en terabyte med data i en integrert brikke på 200 mm2. Brikkene skal dessuten kunne stables i høyden, dersom omgivelsene gir rom for dette.
Crossbar RRAM-teknologien er først og fremst en utfordrer til dagen flashminne-teknologier. Selskaper opplyser at teknologien har egenskaper som virker svært lovende. Det loves nemlig 20 ganger høyere skrivehastighet enn de beste av dagens NAND-basert flashminnebrikker, samtidig som at effektbruken bare utgjør 5 prosent. I likhet med flashminne kan ikke RRAM-cellene overskrives et uendelig antall ganger før de ikke fungerer lenger, men RRAM skal kunne tåle ti ganger flere overskrivinger enn NAND-basert flash.
I tillegg kan det altså lagre omtrent dobbelt så mye data på det samme arealet.
Den fungerende RRAM-brikken har blitt laget ved en kommersiell fabrikk, noe ifølge Crossbar signaliserer at den er klar til å begynne den første produksjonsfasen.
– Ikke-flyktig minne er allestedsnærværende i dag, som lagringsteknologi i hjertet av et marked som omsetter for billioner av dollar – fra nettbrett og USB-pinner til lagringssystemer i store bedrifter, sier George Minassian, toppsjef i Crossbar, i en pressemelding.
– Og likevel er dagens ikke-flyktige minneteknologier i ferd med å slippe opp for fart, ved at de møter en betydelig hindring i forsøket på skalering til mindre produksjonsprosesser. Med vår fungerende Crossbar-matrise har vi oppnådd all de store de store, tekniske milepælene som beviser at vår RRAM-teknologi er enkel å produsere og klar for kommersialisering, sier Minassian.
Minnecellene i Crossbar-matrisen er basert på tre lag. En ikke-metallisk elektrode i bunnen, et svitsjemedium av ikke-krystallinsk silisium og en metallisk toppelektrode. Motstandssvitsj-mekanismen er basert på dannelsen av en trådformet struktur i svitsjematerialet når det tilføres spenning mellom de to elektrodene. Dette skal enkelt kunne skaleres og produseres ved enhver CMOS-produsent (Complementary Metal–Oxide–Semiconductor).
Den fungerende brikken består av både en integrert, monolittisk CMOS-kontroller og en minnematrise. Det opplyses ikke noe nøyaktig tidspunkt for kommersialiseringen, men Crossbar skal være i ferd med å fullføre karakteriseringen og optimaliseringen av enheten for å sende den ut på markedet. Den skal kunne erstatte både tradisjonell NOR- og NAND-flashminne.
I tillegg vil selskapet lisensiere ut teknologien for integrasjon i neste generasjons systembrikker (SoC).
Flash-alternativer
RRAM er langt fra den eneste teknologien som har potensial til å erstatte dagens flashminne, og Crossbar er heller ikke det eneste selskapet som satser på RRAM, eller ReRAM som det også kalles. For eksempel har HP forsket mye på ReRAM, som er basert på memristorer, som ble postulert som et fjerde, grunnleggende kretselement allerede i 1971.
Andre teknologier som har blitt fremmet som flashminneutfordrere er PCM («phase-change memory»), MRAM («magentoresistive RAM»), FRAM («ferroelectric RAM») og NRAM (RAM basert på nanorør).
Enkelte av teknologiene har allerede kommet på markedet, men foreløpig i svært begrenset omfang.
Les også:
- [25.07.2014] Stort framskritt for ny lagringsteknologi
- [26.11.2013] – Nå skal DRAM erstattes
- [11.10.2011] Vil erstatte flashminne innen 18 måneder
- [28.09.2011] Ny teknologi kan utfordre flashminne
- [30.06.2011] IBM viste fram lynrask minneteknologi
- [14.10.2010] Lover mye raskere lagring allerede i 2013
- [01.09.2010] Sammen om revolusjon i flashminne
- [09.04.2010] «Memristor» kan erstatte CPU
- [19.05.2009] Her er morgendagens flashminne
- [28.11.2008] Ny komponent kan skape lagringsrevolusion
- [10.07.2006] Freescale først ute med MRAM-brikke
- [16.09.2002] Magnetisk RAM kan danke ut Opticoms teknologi
