Flashminne brukes der man ønsker å bevare data uten å være nødt til å holde minnekretsene under konstant spenning. Siden minnebehovene i PDA-er, mobiltelefoner og digitale kameraer øker svært raskt, går flashminneprodusentene gode tider i møte. Ifølge tall fra Semico Research vil omsetningen av flashminne nesten dobles fra 7,7 milliarder dollar i 2002 til 13 milliarder dollar i år, og nå hele 43 milliarder dollar i 2007. Prognosene innebærer at det i 2004 vil omsettes like mye flashminne som vanlig dataminne (DRAM). I løpet av 2006 vil flashminnemarkedet være større.
Prognosen er bygget på den forutsetningen at den produserte minnekapasiteten vil dobles hvert år, og at nye teknologier og større produksjon vil bidra til lavere priser per megabit. Historisk sett har markedet vært svært vanskelig, med plutselige anfall av overproduksjon og drastiske prisfall.
Fordi PC-markedet ikke er særlig ekspansivt, har prosessorprodusenter som Intel og AMD satset stadig mer på flashminne. Andre store aktører er Samsung, Toshiba, Motorola og Texas Instruments.
Teknologisk sett hersker det stor usikkerhet om hvordan den økende etterspørselen skal dekkes.
Ifølge News.com mener produsentene at det vil bli stadig vanskeligere å øke tettheten ved å redusere fra 90 nanometers produksjonsprosess til 65 nanometer, og deretter til 45 nanometer. En logisk løsning er å prøve å øke tallet på lagrede biter per minnecelle. Erfaringen er at to biter per celle går, selv om det er dyrere. AMD prøver å utvikle flashminne med fire biter per celle, mens konkurrentene i stedet satser på alternativer som ikke bygger på vanlig halvlederteknologi.
Les også:
- [01.04.2003] AMD og Fujitsu utvider fellesselskap for flashminne
- [16.09.2002] Magnetisk RAM kan danke ut Opticoms teknologi
- [01.02.2002] Intel arbeider også med Opticom-konkurrent
Intel arbeider med flere alternativer, blant annet polymerer, eksemplifisert med interessen for Opticom og Thin Film Electronics, men kanskje aller mest to-fase krystaller, eksemplifisert med interessen for Ovonics Unified Memory. Foreløpig virker to-fase krystaller mer lovende enn polymerer som basis for flashminne, blant annet fordi polymerer plages av to hittil uløste problemer: Det går for sakte å skrive data, og man har ennå ikke funnet ut hvordan data skal kunne viskes ut og erstattes med nye. Derimot lokker polymerer fordi man ser for seg hvordan minnet kan organiseres med tynne lag oppe på hverandre, og gi langt større kapasitet per areal enn andre løsninger.
Motorola, på sin side, arbeider med silisium nanokrystaller, en teknologi de kan ha markedsklar innen 2006. Texas Instruments skal prioritere utviklingen av flashminne basert på ferroelektrisk RAM (FeRAM).
