digi.no skrev tidligere denne uken om at IBM i samarbeid med to mindre selskaper har stor tro på en faseskift-minne som en framtidig erstatter til dagens flashminne. Blant annet trekker IBM fram lese- og skrivehastighetene og muligheten for å lage svært små minneceller som positive egenskaper ved teknologien.
Les også:
- [07.02.2008] Nytt gjennombrudd for flashminne-utfordrer
- [14.09.2007] Bredt samarbeid om lynraskt flashminne
- [08.03.2007] Attraktivt flashminne-alternativ kommer i år
- [11.12.2006] Ny teknologi kan erstatte flashminne
Nå har også Hitachi annonsert at selskapet har gjort utviklinger innen den samme teknologien. I samarbeid med mikrokontroller-spesialisten Renesas Technology, presenterte selskapet denne uken en prototyp som selskapene mener vil kunne integreres som ikke-flyktig minne i mikrokontrollere for integrerte enheter.
De to selskapene understreket i likhet med IBM-forskerne de høye lese- og skrivehastighetene, men også at man mener faseskift-minnet vil være billigere å produsere enn dagens løsninger for ikke-flyktig minne.
Dessuten oppgir Hitachi at den oksygen-dopete GeSbTe-legeringen (germanium-antimon-tellurium) selskapene nå har kommet fram til, vil bare kreve 10 prosent av energiforbruket i forhold til konvensjonelt faseskift-minne ved skriving. Strømstyrken skal nå kunne være så lav som 100 μA med en spenning på 1,5 volt. Tilstanden til cellene i faseskift-minne settes ved at det varmes opp og deretter kjøles ned enten svært raskt eller noe langsommere. Disse tilstandene, hvor den elektriske motstanden enten er høy eller lav, kan dermed representere det binære tallsystemet.
En annen viktig egenskap Hitachi presenterer, er at faseskift-minne kan overskrives svært mange ganger. Selskapet oppgir at man til nå har oppnådd 100 millioner overskrivinger, det vil si endringer i cellenes tilstand.
