Fredag presenterte Intel sin utviklingsstrategi for de nærmeste to tiårene. Paolo Gargini, den ansvarlige for selskapets teknologistrategi, fortalte et utvalg journalister at Moores lov – formulert på 1960-tallet dit hen at ytelsen i halvlederteknologi vil dobles hvert halvannet år – kan holde i femten til tjue år til. Gargini la også fram de viktigste milepælene til forbi 2020. Flere amerikanske medier refererer fra presentasjonen.
Gargini og Intel imøtegår med dette advarsler om at Moores lov, i praksis den primære drivkraften til IT-næringen de siste førti årene, skulle være i ferd med å svikte.
Les også:
- [07.07.2008] Intel ser klar bane mot langt mindre brikker
- [11.04.2008] IBM mener harddisken snart kan erstattes
- [14.04.2005] Tror på fortsatt levetid for Moores lov
- [01.02.2005] Nanogitter kan erstatte transistorer
- [08.12.2004] Dell har kullsviertro på Moores lov
- [30.11.2004] Overkapasitet innen halvledere
- [16.11.2004] Kina blir verdens største halvledermarked
- [02.09.2004] Intel faller bak Moores lov
Nanoteknologi spiller en nøkkelrolle i Intels tidsplan. Selskapet har framstilt nanorør de siste seks månedene, og erfart hvordan de kan brukes både som halvledere – også transistorer – og som ledere. Avhengig av utforming kan de være både ledninger og transistorer. Intels eksperimenter med nanorør med diameter 1,4 nanometer viser at de kan være tre ganger så raske som transistorer i samme størrelse, men trekke like mye strøm.
Rundt 2000 var det ifølge Gargini klart at det ikke lenger vil være tilstrekkelig å bare krympe halvlederkomponentene, fordi man når bestemte fysiske grenser. Det innledet en ny epoke innen halvlederutvikling, der krymping må suppleres med andre metoder, for eksempel nye materialer. Gargini kaller denne epoken for «likeverdig skalering» («equivalent scaling»).
Intel regner med å produsere sine første brikker etter en 45 nanometer prosess i 2007. Her vil det brukes metall framfor silisium i transistorporten. I det isolerende laget som styrer elektronstrømmen inne i transistoren vil man for første gang på mange tiår bruke et annet materiale enn silisiumoksid. Gargini vil ikke si hva det er, men opplyser at det vil bidra til økt ytelse samtidig som det begrenser strømlekkasjer.
Disse forbedringene vil holde til de to neste utviklingstrinnene i henholdsvis 2009 og 2011, der produksjonsprosessen skal reduseres ytterligere, først til 32 nanometer, deretter til 22 nanometer.
Fra 2015 vil det være behov for å blande silisium med nanorør i karbon for å få tilstrekkelig bedring i ytelse. Da går halvlederteknologien inn i en epoke som Gargini kaller«integrerte løsninger». Silisium vil fortsette å være det bærende laget, men metall og nanorør i karbon vil integreres for å løse utfordringene som den stadige krympingen av komponenter stiller.
Allerede fra 2012 til 2015 vil nanorør kunne brukes som halvledere, erstatte kopper i mikroskopiske strømførende ledninger, og fungere som varmeavledere integrert i selve halvledermaterialet. Nanorørene vil ha dimensjoner i området 1 til 25 nanometer. Ifølge Gargini er den store utfordringen å integrere produksjonsprosessen av rør og brikker.
Lag av gallium-arsenid eller andre såkalte «III–V» materialer (betegnelsen viser til grunnstoffenes plassering i det periodiske system) vil også bidra i denne epoken.
Rundt 2020 vil man nå en ny grense, fordi transistorene vil bare bestå av noen få atomer hver. Da er det ikke lenger mulig å krympe komponentene, og epoken med integrerte løsninger vil ta slutt.
For å videreføre Moores lov utover denne milepælen, forsker Intel innen flere områder. Et er «spinntronikk» («spintronics») der man skaper informasjonsbiter (0 og 1) ved å kontrollere hvordan elektroner spinner. Andre områder er fysiske faseforandringer – for eksempel smelting og krystallisering – og optikk.
Gargini holder oversikt med rundt 100 ulike forskningsprosjekter som dekker ulike faser i Intels langsiktige utviklingsstrategi. Mange av dem kjøres i samarbeid med institusjoner som University of California at Santa Barbara, Georgia Institute of Technology og Yale University.
