Intel har i samarbeid med QinetiQ laget en ny transistor basert på nye materialer som kan danne grunnlaget for kommende mikroprosessorer og andre logikkprodukter. Men det er trolig ennå lang tid fram - Intel skriver i pressemeldingen andre halvdel av neste tiår, det vil si 2016 eller enda senere.
Forskere ved de to selskapene har sammen demonstrert en «enhancement-mode»-transistor ved å benytte en indium-antimonlegering (InSb) for å lede elektrisk strøm. Tidligere har forskere fra Intel og QinetiQ annonsert transistorer med InSb-kanaler.
Ifølge Intel er transistorprototypen mye raskere og bruker mindre strøm enn tidligere annonserte transistorer. Selskapet forventer å bruke InSb som et supplement til silisium, og dermed utvide levetiden til Moores lov.
Lavere effektforbruk har særlig betydning i batteridrevne enheter som bærbare PC-er, men høyere hastigheter øker regnekapasiteten.
Les også:
- [11.01.2006] Vil gjøre EU ledende innen brikker
- [20.09.2005] Intel-framskritt lover bedre batteritider
- [02.06.2005] Transistormodell utfordrer Moore's lov
- [14.04.2005] Tror på fortsatt levetid for Moores lov
- Resultatene av denne forskningen forsterker troen vår på å kunne fortsette å følge Moores lov også etter 2015, sier Ken David, direktør for komponentforskning i Intels Technology and Manufacturing Group, i en pressemelding.
- Ved å tilby 50 prosent mer ytels,e samtidig som at effekten reduseres med omtrent 90 prosent, vil dette nye materialet gi oss betydelig fleksibilitet fordi vi vil ha muligheten til å optimalisere for både ytelse og effektforbruk på framtidige plattformer, sier David.
InSb er i en klasse materialer som kalles sammensatte III-V-halvledere. Disse brukes i dag i en rekke forskjellige diskrete og lavskala integrerte enheter som radio-frekvensforsterkere, mikrobølgeenheter og halvlederlasere.
Prototypen som nå er blitt er blitt annonsert, har en portlengde på 85 nanometer og er ifølge Intel mindre enn halvparten så stor som tidligere annonserte transistorer. Dette skal også være første gang at en «enhancement-mode»-transistor er blitt demonstrert. Disse transistorene kan operere med redusert spenning, omtrent 0,5 volt. Dette er omtrent halvparten av det transistorer i dagens brikker behøver, noe som igjen fører til langt lavere effektforbruk.
