Til tross for at DDR2-minne ennå ikke har gått forbi den første generasjonen av DDR-minneteknologien i markedet for systemminne, er Samsung i full gang med å forberede den tredje generasjonen av teknologien, DDR3 DRAM (Doble Data Rate 3 Dynamic Random Access Memory). Selskapet annonserte onsdag at det har utviklet det som skal være den første DRAM-baserte minneenheten basert på teknologien.
DDR3-basert SRAM- og grafikkminne for har derimot eksistert en stund allerede.
Den nye minnebrikken rommer 512 megabit med data. Brikken kan prosessere data i en rate på 1066 megabit per sekund. DDR3 skal bli kommersielt tilgjengelig tidlig i 2006, og ventes av Samsung å bli standardminne i neste generasjon med av både bærbare og stasjonære PC-er, samt i servere.
Prototypen Samsung nå har produsert opererer ved en spenning på 1,5 volt, noe som skal begrense effektforbruket og forlenge brukstiden til batterier. DDR3 skal ha dobbelt så høy operasjonshastighet som DDR2 og fire ganger så høy som DDR.
Brikken vil bli produsert med 80 nanometers prosessteknologi, noe som skal gjøre ny funksjonalitet mulig. Dette inkluderer selvdrevet kalibrering og datasynkronisering, som skal være nødvendig når prosesseringshastighetene blir så høye som det som loves.
Samsung skal også ha vært først ute med å produsere både DDR DRAM og DDR2 DRAM, i henholdsvis 1998 og 2001.
Analyseselskapet IDC spår at DDR3 DRAM vil representere 65 prosent av det totale DRAM-markedet i 2009.
