Japanske Elpida Memory og Sharp skal samarbeide om å gjøre ReRAM-teknologien kommersielt tilgjengelig innen 2013. Dette skriver japanske dagsavisen The Nikkei, som siteres her av Reuters.
ReRAM (resistive random access memory) er en teknologi for ikke-flyktig minne som flere selskaper jobber med. Det har blitt laget ulike varianter som er basert på forskjellige dielektriske materialer.
ReRAM er basert på prinsippet om forskjellene i motstandsverdien et dielektrisk materiale har når det påføres spenning, noe som kan brukes til å representere bitverdiene 0 eller 1.
Ifølge Reuters står det i The Nikkei ReRAM-brikkene vil kreve betydelig mindre effekt enn NAND-basert flashminne, samtidig som at skrivehastigheten er 10 000 ganger raskere. I hvilemodus skal energiforbruket være svært lavt.
De to elektronikkselskapene skal samarbeide med blant annet Universitetet i Tokyo og National Institute of Advanced Industrial Science and Technology om klargjøre teknologien for masseproduksjon i 2013.
Nå går det nok likevel noe tid fra masseproduksjonen starter til at teknologien blir kommersielt tilgjengelig i produkter med en attraktiv pris, men det at flere jobber med tilsvarende og potensielt konkurrerende teknologier kan føre til en forholdsvis rask reduksjon i prisen.
I september ble det kjent at HP og Hynix har inngått et samarbeid om å utvikle blant annet memristorer (memory resistor) for bruk i ReRAM. Men de to selskapet har ikke oppgitt noe omtrentlig tidspunkt for kommersialisering. Selskapene er dessuten langt mer beskjedne i sin beskrivelse av egenskapene til ReRAM og lover bare en tidobling av hastigheten til dagens flashminne.
Les også:
- [06.08.2013] Crossbar vil erstatte flashminne med RRAM
- [11.10.2011] Vil erstatte flashminne innen 18 måneder
- [01.09.2010] Sammen om revolusjon i flashminne
