Det foregår en intens jakt blant verdens halvlederselskaper på en type minne som oppbevarer data uten å kreve elektrisk spenning, som tar minimalt med plass, og som krever minimalt med strøm og tid når data skal leses eller skrives. Det forskes i hovedsak på tre alternativer: optisk minne, der data lagres som lys eller mørke, krystallinsk materiale som kan innta en av to alternative faser, og magnetisk materiale som kan polariseres i to forskjellige retninger.
Intel har hittil satset på både optisk og krystallinsk minne. I en presentasjon som teknisk sjef Stefan Lai holdt i juni 2001, og som siden ble lagt ut på web - Intel's Investigation of Next-Generation Memory Technologies for Portable Devices - gjennomgås jakten på en framtidens minneteknologi som kan erstatte både spenningsavhengig minne som DRAM og SRAM, og spenningsuavhengig minne som Flash. Her begrunner Intel sitt syn om at optisk minne - av polymerer - ser ut til å være best der man skal lagra store mengder data, mens lagring i to-fase krystaller - Ovonics Unified Memory - gir de beste egenskapene for rimelige bærbare apparater. Intels partner innen polymerminne er Thin Film Technologies AB, en datter av Opticom ASA, mens partneren innen krystallminne er ECD Ovonics og dennes kommersielle arm Ovonyx.
Les også
I Intels presentasjon anerkjennes magnetisk RAM - eller "magnetoresistive random access memory" - som overlegen i ytelse, men antakelig mer kostbar å framstille. Blant magnetminnets store fordeler overfor dagens Flash-minne, er at MRAM kan overskrives og avleses et ubegrenset antall ganger. Videre kreves bare millivolt med spenning for å lese og skrive data. Det tyder på at MRAM vil være vesentlig mer effektiv i forhold til både ytelse og energi enn Flash.
Intel ser ut til å være ganske alene om sitt forholdsvise negative syn på MRAM. Dette kom blant annet fram på et symposium i Honolulu i juni i ord, i forbindelse med bransjearrangementet 2002 Symposium on VLSI Circuits. Her viste Motorola en prøve på en megabit MRAM-brikke produsert etter en 600 nanometers prosess, mens Sony viste sin MRAM-protoyp, produsert etter en 350 nanometers prosess. De to prototypene vakte enorm oppsikt, ifølge EETimes..
IBM og Infineon har i flere år samarbeidet om å utvikle MRAM-brikker. Bildet ovenfor viser en eldre prototyp fra IBM. Signalene fra dette samarbeidet er at brikkene er foreløpig for store, og at man arbeider med å få magnetene mindre og å pakke dem tettere.
Også prototypene fra Motorola og Sony er for store i forhold til markedets behov. Motorola sier at ved å redusere til en 180 nanometers prosess - noe som for lengst er nådd med vanlige halvledere - vil størrelsen på minnecellene være tilstrekkelig redusert til at MRAM er konkurransedyktig til å bli felles minneteknologi for alt fra mobiltelefoner til PC-er.
I går ble det meldt at også de japanske gigantene NEC og Toshiba vil kaste seg inn i racet for å utvikle morgendagens universelle minneteknologi, og at de vil samarbeide med tanke på å lage MRAM-brikker.
NEC og Toshiba regner med å kunne framstille prototyper innen årsskiftet, og at ferdige brikker kan komme på markedet i løpet av 2005. Ifølge den japanske avisa Nihon Keizai Shimbun, som siteres av både Reuters og Associated Press, er det foreløpig satt av ti milliarder yen, eller rundt 85 millioner euro, til prosjektet.
Siste tidsanslag fra IBM og Infineon stammer fra desember 2000. Da het det at de satset på å tilby MRAM-brikker på markedet i løpet av 2004.
Forutsatt at MRAM-teknologien utvikler seg slik tilhengerne tror, og blir en erstatning for alle dagens minnetyper, kan markedet vokse til 8,33 milliarder dollar innen 2007, hevder den japanske avisa. Hvis prognosene holder stikk, kan den norske børsboblen Opticom dankes ut av verdensmarkedet på rekordtid.
