Samsung kunngjorde i går at selskapet har startet masseproduksjon av minnemoduler med en kapasitet på 128 gigabyte. Dette skal være verdens første, masseproduserte minnemodul med så høy kapasitet.
Det dreier seg som intet mindre enn en TSV DDR4 RDIMM (Through Silicon Via Double Data Rate-4 Registered Dual Inline Memory Module) som er beregnet for store servere.
Ifølge Samsung skal den nye minnemodulen også være markedets mest energieffektive.
Modulen består av 144 DDR4-brikker bygget med 20 nanometers prosessteknologi. Disse er samlet i 36 TSV DRAM-pakker på modulene.
Gjennomhulling
I stedet for å bruke ledninger mellom minnepakkene, er de vertikalt stablede silisiumbrikkene i TSV-pakkene gjennomhullet med hundrevis av små hull og forbundet med elektroder som går gjennom disse hullene. Dette skal gi betydelig forbedret signaloverføring.
Dette er dog ikke noe Samsung har funnet opp. William Shockley, som var med på å finne opp transistoreren, fikk patent på en slik metode allerede i 1962.
Rask og effektiv
TSV-teknologien skal gjøre det mulig å levere opptil dobbelt så høy datarate (2,4 gigabit/s) med halvparten av energibruken, sammenlignet med 64 gigabyte LRDIMM-en (Load Reduced Dual Inline Memory Module) som selskapet kom med i fjor.
Det loves også moduler med datahastigheter på opptil 3,3 gigabit per sekund, beregnet for systemer med behov ekstra høy minnebåndbredde, samt moduler for forbrukerprodukter.
SK Hynix, en av Samsungs største konkurrenter, kunngjorde allerede i våres minnemoduler på 128 gigabyte basert på TSV-teknologien. Men ifølge selskapets egen oversikt er disse fortsatt under intern testproduksjon.
