Det skjer mye innenfor minneteknologi, i hvert fall på forskningsfronten. Men likevel går det lenge mellom hver gang en ny teknologi tar veien fra prototypstadiet til faktiske produkter.
I 2015 skrev vi om selskapet Nantero, som jobber med en ny lagringsteknologi kalt NRAM (Nano-RAM), basert på karbonbaserte nanorør. I august i fjor annonserte Nantero at det japanske selskapet Fujitsu blir det første selskapet som skal masseprodusere NRAM, og at selskapet vil være klar med NRAM-baserte produkter allerede i slutten av 2018.
I en ny rapport fra BCC Research hevdes det at NRAM vil bety et stort gjennombrudd og bety enda mer for datalagringsmarkedet enn flashminne. Det skriver Computerworld.
NRAM skal være minst like raskt som DRAM-minne, men er et i likhet med flash et ikke-flyktig minne – det vil si at det holder på dataene etter at du har skrudd av strømmen. Samtidig er lagringstettheten høyere, og det er mulig å skrive til minnet inntil flere tusen ganger raskere enn vanlig flashminne.
– Det er sjelden å se en teknologi få et skikkelig gjennombrudd etter å ha vært under utvikling så lenge, men NRAM ser ut til å klare akkurat det, sier Kevin Fitzgerald i BCC i en pressemelding.
– Kan erstatte både flash og DRAM
Teknologien har vært under utvikling siden 2001, og bruker nesten ikke strøm når minnet er i standby-modus. Minnet skal også være motstandsdyktig mot varme og kulde, magnetisme, stråling og vibrasjoner. Ifølge Nantero er det mulig å skalere minneproduksjonen ned til under 5 nanometer, og man skal kunne produsere det i eksisterende halvlederfabrikker med en CMOS-prosess.
Fitzgerald mener NRAM har potensiale til å kunne konsolidere DRAM og flashminne. Ifølge BCC vil det globale markedet for NRAM kunne vokse med 62,5 prosent i året fra 2018 til 2023.
De første NRAM-produktene fra Fujitsu i 2018 vil være en spesialbrikke hvor NRAM er innebygget, men planen er å lansere frittstående NRAM-produkter etter det. Disse produktene vil produseres av Fujitsus halvlederfabrikk Fujitsu Semiconductor og selges av andre selskaper under deres egne merkevarer.
NRAM er ikke den eneste nye minneteknologien som snart ser dagens lys. Intels kommende Optane-minne, basert på 3D Xpoint-teknologi, skal også være langt raskere enn tradisjonelt flashminne – og i likhet med NRAM er det snakk om en ikke-flyktig minneteknologi som kan erstatte både DRAM og flashminne. De første produktene med Intel Optane vil komme på markedet allerede i andre kvartal i år. I tillegg har både IBM, Hewlett-Packard og Infineon også nye minneteknologier på gang.
I en epost til Computerworld skriver Fitzgerald at det nå er duket for det som nærmest vil fortone seg som en hellig krig i minnemarkedet, og at det sannsynligvis bare vil være én teknologi som går seirende ut til slutt.
