Toshiba har annonsert at de har begynt å sende ut prøveeksemplarer av en 512 gigabit (Gb) flash-brikke – altså 64 gigabyte (GB). Minnebrikken benytter en 3D NAND-teknologi som gjør det mulig å pakke data enda tettere, i flere lag.
Ved å øke fra 48 til 64 lag og samtidig også ta i bruk en teknologi som gjør det mulig med tre bits per celle (TLC – Triple-Level Cell) har Toshiba klart å doble kapasiteten per flashbrikke – fra 256 Gb til 512 Gb. Hvis man ser på kapasitet på et gitt område på en silisiumskive («wafer»), snakker vi om en kapasitetsøkning på 65 prosent.
Ifølge The Register har også Samsung en 512 Gb-brikke, mens Micron har en på hele 768 Gb. Alle tre bruker 64 lag og 3 bits per celle, men ingen av de tre produsentene har startet masseproduksjon av sine brikker ennå. Masseproduksjon av Toshibas nye brikke skal etter planen starte andre halvår i år.
Større SSD-er for bedrifts- og konsumentmarkedet
Det å pakke inn mer data på samme fysiske areal på en silisiumskive innebærer lavere pris per bit – og kan dermed også gi billigere SSD-er, eventuelt SSD-er med høyere kapasitet.
Toshiba melder at teknologien i de nye brikkene de nå har annonsert vil gjøre det mulig med hele 1 terabyte (TB) lagringskapasitet per brikke. Allerede i april i år begynner selskapet å sende ut prøveeksemplarer på en slik brikke, hvor de har stablet 16 brikker oppå hverandre i én innpakning.
For å gire opp produksjonen av flash-minne bygger selskapet nå en ny halvlederfabrikk (Fab 6) og et forsknings- og utviklingssenter i Japan. Det var for øvrig Toshiba som fant opp NAND flash-minne i 1987, og selskapet var også de første til å starte masseproduksjon av denne typen ikke-flyktig minne – som er den som vanligvis brukes i SSD-er og minnekort.
Analytikere mener dette vil være et gjennombrudd innen minneteknologi:
Neste år kommer NRAM – nanorør-minne »
