Prosessorgiganten Intel har i lang vært en ivrig tilhenger av å følge Moores lov, som i korte trekk innebærer å doble antallet transistorer på en mikrobrikke i løpet av en periode på 18 til 24 måneder.
Selskapet har i stor grad klart å holde seg til disse intervallene, men de siste årene har oppgaven blitt stadig vanskeligere på grunn av de tekniske utfordringene ved å krympe brikketeknologien videre ned. Nå presenterer Intel viktige fremskritt på området.
3D-design
I forbindelse med IEDM-konferansen (International Electron Devices Meeting) i USA kunngjorde Intel nylig at de har utviklet nye, tekniske løsninger som vil gjøre det mulig å presse langt flere transistorer inn på det samme arealet enn det som har vært mulig hittil.
Ifølge Intel innebærer gjennombruddene at Moores lov vil fortsette å gjøre seg gjeldende frem til 2025 og videre inn i fremtiden.
Et av områdene hvor Intel nå har gjort store fremskritt er innen det tredimensjonale transistordesignet, hvor transistorene legges oppå hverandre. Selskapet sier de har funnet tekniske løsninger som skal levere 10 ganger høyere tetthet ved «3D-stabling» av transistorer, som Intel kaller det. Det har store konsekvenser for ytelsen.
– Intel forbereder seg på den kommende post-Finfet-æraen (fin field-effect transistor, journ.anm.) med en tilnærming til stabling av flere CMOS-transistorer som har som mål å oppnå 30–50 prosent forbedring innen logisk skalering, for å fortsette å fremme Moores lov ved å få plass til flere transistorer per kvadratmillimeter, skriver prosessorgiganten.
En videopresentasjon av det tredimensjonale transistordesignet ser du nederst i artikkelen.
Nye materialer og kvanteteknologi
Disse fremskrittene akkompagneres av betydelig progresjon innen forskning på alternativer til dagens velkjente, silisiumbaserte halvlederteknologi. Intel sier de jobber med nye materialer med en tykkelse på bare noen få atomer, som skal gjøre det mulig å komme rundt plassbegrensningene som ligger i silisium-løsningen.
Disse nye materialene skal ifølge prosessorgiganten gjøre det mulig å følge Moores lov inn i den såkalte ångstrøm-æraen. Ångstrøm, som er det samme som 0,1 nanometer, er ventet å overta for nanometer når det gjelder produksjonsprosess. Intel presenterte allerede i sommer sine ambisjoner om å ta brikketeknologien inn i denne æraen (krever Ekstra-abonnement).
Ikke minst har Intel begynt å se til kvanteteknologien i sin iver etter å holde Moores lov i live i årene fremover. På IEDM-konferansen hevder selskapet å ha demonstrert en helt ny type transistor kalt «magnetoelektrisk», som baserer seg på nanomagnetiske brytere.
Denne løsningen kan ifølge Intel realiseres i romtemperatur, der vanlige kvantedatamaskiner avhenger av særdeles lave temperaturer, og den kan også masseproduseres med eksisterende, silisiumbaserte produksjonsteknikker.
Mer informasjon om Intels fremskritt finner man i selskapets egen presentasjon.
Intel ser mot to nanometer
