Konkurrerende halvlederprodusenter er denne uka samlet i San Francisco til International Electron Devices Meeting (IEDM), der de blant andre viser fram nye former for magnetisk minne eller MRAM. Dette er en type minne som ikke trenger strøm for å bevare data, samtidig som den er både raskere og mer tettpakket enn flashminne. MRAM passer til PC-er, mobiltelefoner og annet bærbart utstyr.
Bruk av MRAM framfor DRAM-minne i PC-er ville gitt PC-er som kan slås av og på uten dagens omstendelige prosesser for lagring og lasting. MRAM er også raskere enn DRAM, og er nesten like raskt som SRAM. Mange leverandører, også IBM, Infineon og Motorola, har vist MRAM-brikker, men kommersialiseringen drøyer. Den største prøveproduserte MRAM-brikken skal være på 16 megabiter.
Toshiba og NEC viste en ny type MRAM-konstruksjon som de har utviklet i fellesskap. Den halverer strømforbruket under lesing og skriving, og reduserer også hyppigheten på feil under skriving. Brikken som ble vist er på én megabit og er framstilt etter en 130 nanometers prosess. Aksesstiden er 250 nanosekunder og driftsspenningen er 1,5 volt.
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co (TSMC) gjorde rede for en annen konstruksjon med en 180 nanometers prosess. Selskapet fortalte om en ny måte å krympe bitstørrelsen som samtidig også halverer strømmen som trengs for å skrive data.
Renesas Technology, et utviklingsselskap eid av Hitachi og Mitsubishi, viste en MRAM-brikke framstilt etter en 130 nanometers teknologi, som kan drives i klokkefrekvenser over 143 MHz.
Det er ikke gitt antydninger om prisnivået for disse konstruksjonene, eller når de kan komme på markedet.
