Samsung skal være først ute med å lage en flashminne-enhet basert på 40 nanomenters prosessteknologi. Enheten, som hver for seg kan romme 32 gigabits med data, er basert på NAND-teknologien. Den tar i bruk det Samsung kaller Charge Trap Flash-arkitekturen (CTF), som skal gi bedre produksjonseffektivitet og gi brikkene høyere ytelse. Dette skyldes støynivået mellom cellene reduseres kraftig.
Fordi den nye strukturen er svært enkel, mener Samsung at den også vil kunne brukes når prosessteknologien forbedres og når størrelser på 30 eller 20 nm. Dette vil på sikt kunne gi hver minnebrikke en kapasitet på 256 gigabits.
Minnebrikke Samsung nå har utviklet skal ifølge selskapet kunne benyttes i minnekort med inntil 64 GB lagringskapasitet.
Les også:
- [24.10.2007] Enda en dobling av kapasitet på flashminne
- [12.09.2006] Viste superrask flash-etterfølger
- [20.07.2006] Ny fartsrekord for flashminnekort
Det er ventet at produksjon av minnebrikkene vil komme i gang i år.
