Samsung kunngjorde denne uken at selskapet har startet masseproduksjon av en type flashminne som ved hjelp av et asynkront DDR-grensesnitt (Double Data Rate) skal kunne oppnå lesehastigheter som er mer enn tre ganger så høye som tilsvarende minne i dag.
Det dreier seg om 30 nanometers MLC NAND-minne (Multi-Level-Cell) som skal kunne tilby lesehastigheter på 133 megabit per sekund. Ifølge Samsung har dagens SDR-baserte (Single Data Rate) MLC NAND-minne en gjennomsnittlig lesehastighet på 40 megabit per sekund.
Dette skal kunne gjøres uten økt effektbruk.
Ifølge Samsung skal det nye flashminnet kunne brukes i SSD-er (Solid-State Drive), Secure Digital (SD) minnekort for smartmobiler og i Samsungs eget moviNAND minneformat. I tillegg ser selskapet for seg at minnet vil bli brukt i blant annet personlige mediespiller og bilnavigasjonssystemer.
Samsung kunngjorde også at selskapet har startet masseproduksjon av 3-bit MLC NAND-brikker. Også disse produseres med 30 nanometers prosessteknologi. Teknologien skal støtte 50 prosent mer effektiv datalagring enn dagens 2-bits MLC NAND-brikker.
Brikkene vil bli brukt i NAND-baserte flashmoduler sammen med 3-bits NAND-kontrollere utviklet av Samsung. I første omgang brukes dette til å lage microSD-kort med åtte gigabyte kapasitet, men Samsung regner med at begge de nye minneteknologien vil føre til økt produksjon av flashminnelager med kapasitet på 32 gigabyte og mer. Dette skal spesielt legge til rette for mer lagring og deling av video.
