Samsung kunngjorde denne uken at selskapet har utviklet det som skal være verdens første 2 gigabit DDR2 DRAM-brikker basert på 60 nanometers prosessteknologi. Disse skal settes i produksjon senere i år. Slike brikker lages i dag med 80 nanometers teknologi.
De nye brikkene skal kunne overføre data med en hastighet på 800 megabits per sekund. Ifølge Samsung er vil dette gi en ytelsesøkning på inntil 20 prosent sammenlignet med dagens brikker. Samtidig har den nye prosessen ført til at produksjonseffektiviteten er blitt forbedret med omtrent 40 prosent.
Dette, sammen med at mindre størrelse på transistorene i brikkene, gjør det mulig å hente flere fungerende brikker fra hver silisium-wafer. Dette betyr lavere produksjonskostnader per brikke.
De nye brikkene gjør det mulig å halvvere å halvere antallet komponenter som er nødvendige i en 8 GB minnemodul. Mens det i dag benyttes 72 stykk 1 gigabit-brikker, kan man ved å benytte 2 gigabit-brikker greie seg med 36. Samtidig skal man kunne redusere effektforbruk med 30 prosent, noe som også vil merkes gjennom mindre varmeutvinning.
Samsung skal tilby de nye brikkene i fire typer moduler. Dette er er 8 GB-varianter av FBDIMM (Fully-Buffered Dual Inline Memory Module) og RDIMM (Registered Dual Inline Memory Module), samt 4 GB-utgaver av UDIMM (Unbuffered Dual Inline Memory Module) og SODIMM (Small Outline Dual Inline Memory Module). De to førstenevnte benyttes i dag mest av servere, UDIMM av stasjonære PC-er, mens SODIMM er vanlig i bærbare PC-er.
