Samsung kunngjorde i går at selskapet i desember fullførte utviklingen av verdens første DDR4 (Double Data Rate) DRAM-modul (Dynamic Random Access Memory), altså en ny generasjon av den typen minne som finnes i nær sagt alle pc-er og servere.
Den nye minnemodulen er basert på 30 nanometers prosessteknologi. Foreløpig har Samsung oppnådd datarater på opptil 2,133 gigabit per sekund ved 1,2 volt spenning. Dagens DDR3-minne laget med tilsvarende prosessteknologi kan til sammenligning levere datarater på inntil 1,6 gigabit per sekund, ifølge Samsung. Men dette skjer ved spenningsnivåer på enten 1,35 eller 1,5 volt.
Vanligvis oppgis dataraten til DDR-minne i antallet «megatransfers» per sekund (MT), som ganges med 8 for å få den maksimale båndbredden til modulen. Denne er oppgitt i megabyte per sekund. Det er uklart hvorfor Samsung i pressemeldingen i stedet oppgir dataraten i gigabit per sekund.
PC3-17000-modulen av DDR3-standarden åpner dog for DDR3-minne som med en datarate på 2133 MT, over 17000 megabyte per sekund.
Den nye DDR4-modulen vil ifølge Samsung kunne redusere effektforbruket med 40 prosent sammenlignet med en 1,5 volt DDR3-modul, når begge brukes i bærbare pc-er.
Modulen tar i bruk en teknologi som kalles Pseudo Open Drain (POD). POD har lenge blitt benyttet av grafikkminne, men er nå tilpasset for bruk i DDR4 DRAM. Den bidrar til halvvert strømforbruk ved lesing og skriving av data, sammenlignet med DDR3.
Ved å ta i bruk ny kretsteknologi, venter Samsung at DDR4-minnet vil kunne oppnå datarater på opptil 3,2 gigabit per sekund.
Foreløpig finnes det ikke datamaskiner som støtter DDR4-minne, men Samsung vil samarbeide tett med flere serverleverandører for å sikre at standardiseringen av DDR4-teknologiene hos JEDEC blir ferdig i løpet av andre halvdel av 2011.
I desember leverte Samsung DDR4 UDIMM-er (Unbuffered Dual In-line memory module) til en ikke navngitt leverandør av minnekontrollere, for testing. Disse modulene benytter et spenningsnivå på 1,2 volt og har en kapasitet på to gigabyte.
Etter at Samsung introduserte verdens første DDR DRAM i 1997, har selskapet ligget helt i teten av utviklingen av nye DDR-generasjoner. I 2001 introduserte selskapet verdens første DDR2 DRAM, mens det var først med å introdusere DDR3 DRAM basert på 80 nm-teknologi i 2005. I alle tilfellene tok det flere år før teknologien kom på markedet.
Les også:
- [13.07.2005] Starter masseproduksjon av raskere minne
- [04.07.2005] «Ny» minnetype omsider billigst
- [17.02.2005] Klargjør DDR3-basert PC-minne
- [08.10.1998] Lanserer DRAM med dobbelt hastighet
