Freescale Semiconductor annonserte i går at selskapet i samarbeid med University of Florida har laget verdens første modell for bruk av toports (double gate) transistorer. Transistorversjonen det er snakk om, kalles FinFET og skal gjøre det mulig å produsere brikker med økt regnekraft, redusert størrelser og lavere effektforbruk ved å benytte eksisterende produksjonsmetoder for halvledere.
For å kunne designe en silisiumbrikke som benytter toports FinFET-transistorer, kreves en passende modell over transistorens elektriske egenskaper for å simulere de intrikate og svært komplekse kretsene i brikken.
- Toports-transistorer er i ferd med å bli en seriøs kandidat for 45 nanometers teknologinoden, sier teknologisjef i Freescale, Claudine Simson, i en pressemelding.
- Programvaremodellen utviklet ved University of Florida flytter transistoren et skritt nærmere kommersialisering. Denne teknologien kan åpne for kundeløsninger som mindre og lettere, bærbare enheter med bedre batterilevetid, i tillegg til raskere regneenheter som kan håndtere de voksende kravene til prosessering av grafikk, video, tale og data, sier Simson.
Ifølge Freescale kan designere allerede nå ta i bruk teknologien for å utvikle sluttbrukerprodukter.
- For første gang er det blitt dannet en vellykket bro mellom verdenene for silisiumteknologi og kretsdesign for den nye rasen med transistorer, sier Jerry Fossum, prosessor med University of Florida.
- Vi har samarbeidet med Freescale om de nye teknologiene i fem år, og håper at dette gjennombruddet og det utvidete samarbeidet vil åpne dørene for nye oppdagelser innenfor teknologiene, sier Fossum.
Freescale skal stå for lisensieringen av universitetets modeller. Tredjeparter vil da kunne designe kretser basert på transistorene.
| Generell FinFET-transistor med doble porter. |
Freescale skriver at den stadig klappjakten på å putte flere MOSFET-transistorer inn i en silisiumbrikke ved å redusere dimensjonene til transistorene, godt beskrevet av Moores lov, møter stadig hindringer når de konvensjonelle planartransistorer skal krympes ytterligere. Dette skyldes ifølge Freescale vanskeligheten med å opprettholde kontroll over ladningsbærere som beveger seg gjennom transistoren når det bare benyttes én port. Transistorer med doble porter skal dempe dette problemet ved å introdusere en ekstra port som forbedrer kontrollen, noe som åpner for ytterligere krymping.
For å kunne designe en silisiumbrikke som benytter toports FinFET-transistorer, kreves en passende modell over transistorens elektriske egenskaper for å simulere de intrikate og svært komplekse kretsene i brikken.
