MASKINVARE

Vil redusere strømforbruket i transistorer med 85 prosent

IBM og Samsung samarbeider om ny halvlederteknologi som skal kunne gi enorm energibesparelse i forhold til dagens løsninger.

Waferer: VTFET - Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor er laget i testwafere
Waferer: VTFET - Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor er laget i testwafere CONNIE ZHOU
Gi bort artikkelen
Kommenter
14. des. 2021 - 14:04
Les mer om:
Gi bort artikkelen
Kommentarer:
Du kan kommentere under fullt navn eller med kallenavn. Bruk BankID for automatisk oppretting av brukerkonto.