MASKINVARE
Vil redusere strømforbruket i transistorer med 85 prosent
IBM og Samsung samarbeider om ny halvlederteknologi som skal kunne gi enorm energibesparelse i forhold til dagens løsninger.
%2520wafers%252016-9.jpg)
Les mer om:
Gi bort artikkelen
Kommentarer:
Du kan kommentere under fullt navn eller med kallenavn. Bruk BankID for automatisk oppretting av brukerkonto.